2021年，Intel宣布了全新的制造工藝路線圖，包括Intel 7、4、3、20A、18A，其中20A、18A將引領進入埃米時代，并同時采用PowerVia背面供電、RibbonFET全環(huán)繞柵極兩大全新技術。

6月6日消息，Intel官方宣布，率先在代號為“Blue Sky Creek”產(chǎn)品級測試芯片上實現(xiàn)了背面供電技術，將于2024年上半年在Intel 20A工藝節(jié)點上正式落地。

傳統(tǒng)的正面供電技術，信號走線、供電走線都位于晶圓的正面，需要共享甚至爭奪每一個金屬層的資源，必須竭力擴大金屬層引腳間距，進而增加成本和復雜度。

背面供電技術，則將信號走線、供電走線分離，后者轉(zhuǎn)移到晶圓背面，可以分別單獨優(yōu)化，帶來更高性能、更低成本，不過也面臨良品率、可靠性。散熱、調(diào)試等各方面的挑戰(zhàn)。

為了加速研發(fā)，Intel選擇了PowerVia、RibbonFET兩項技術分開研發(fā)的方式，率先推進的就是PowerVia。

Intel通過測試證實，PowerVia技術確實能顯著提高芯片的使用效率，大部分區(qū)域的標準單元利用率都超過了90％，同時晶體管體積大大縮小，單元密度大大增加，因此能顯著降低成本。

同時，PowerVia已在測試中達到了相當高的良率和可靠性指標，證明了這一技術的預期價值。

測試還顯示，PowerVia將平臺電壓降低了30％，并帶來了6％的頻率增益。

為了應對這種全新的晶體管供電方式，Intel開發(fā)了全新的散熱技術，展示了良好的散熱特性，可避免出現(xiàn)過熱。

同時，調(diào)試團隊也開發(fā)了新技術，確保這種新的晶體管設計結構在調(diào)試中出現(xiàn)的各種問題都能得到適當解決。

根據(jù)此前披露的信息，Intel PowerVia技術的測試芯片采用了Intel 4制造工藝，22個金屬層，單個核心面積僅為2.9平方毫米，1.1V電壓下達到了3GHz頻率。